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2009年07月10日
住友商事株式会社
SBA Materials, Inc.

最先端半導体材料の独占販売代理店契約締結について

住友商事株式会社(社長:加藤 進、本社:東京都中央区、以下:当社)は米国SBA Materials, Inc. (エスビーエーマテリアルズ社、社長:William Cook、本社:ニューメキシコ州アルバカーキ市、以下:SBA社)と最先端半導体製造用材料である超低誘電率層間絶縁材料(Ultra low-k材)の日本、台湾およびシンガポール向け独占販売代理店契約を締結しました。

 

SBA社は2001年に設立され、特許技術である「自己重合(自己組成化)」を用いたエンジニアリング材料の開発を進めてまいりました。

 

現在、主流となっている半導体では誘電率(k値)が3.0~2.5程度の層間絶縁膜が用いられておりますが今後、高速化・高集積化を目指す最先端の半導体では、消費電力低減と動作速度向上のため配線層間絶縁膜の誘電率の低減が緊急の課題となっております。
SBA社はこの問題を解決する超低誘電率層間絶縁膜材料(Ultra low-k材)を独自の特許技術により開発しました。自己重合技術を用い、ナノメートルサイズの空孔を絶縁材料内に規則的に形成することで、誘電率k=2.0の超低誘電率と高い膜強度(モジュラス) 9~10GPaを同時に達成する事が可能となりました。SBA社では誘電率k=2.0, k=2.2、 k=2.3、 k=2.4製品の出荷を開始するとともに、k=2.0を下回る特殊品のサンプルの出荷を開始しました。

 

当社は、今後量産化が見込まれる32nm世代以降の最先端半導体製造メーカー向けに各国の拠点にてお客様のご要望に迅速に対応する体制を構築し、Ultra low-k材の拡販に注力します。

 

超低誘電率材料の世界市場は、今後32/22nm世代の半導体量産が本格化する2012年には1000億円程度への成長が予測されます。SBA社および当社は32/22nm半導体向けUltra low-k材でのトップシェア獲得を目指します。

 

SBA社および当社は、本Ultra low-k材により半導体の性能向上と大幅なコストダウンが図れることにより現状の最先端半導体生産プロセスである45nm世代から次世代の32nm/22nmへの移行が促進されると考えております。

 

また、将来的にはSBA社のナノ構造新規材料開発技術を活かし、太陽電池向け反射抑制材料や液晶分野で用いる薄膜新規材料など新規分野への展開を目指します。

 

【SBA Materials社概要】
1. 本社所在地 : 米国 ニューメキシコ州 アルバカーキ
          901 University Blvd. SE Suite 104
          Albuquerque, NM 87106
2. 設立       : 2001年
3. 代表者        : William E.Cook
4. 主な事業     : 超低誘電率層間絶縁膜の開発、製造 
5. URL      : http://www.sbamaterials.com


本件に関する問い合わせ先

住友商事株式会社 広報部 報道チーム

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